DMN65D8L-7 与 BSS138N H6327 区别
| 型号 | DMN65D8L-7 | BSS138N H6327 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMN65D8L-7 | A-BSS138N H6327 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||
| 描述 | DMN65D8L: 60 V 3 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 1.3mm | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3Ω@115mA,10V | 3.5Ω@230mA,10V | ||
| 上升时间 | - | 3ns | ||
| 产品特性 | - | 车规 | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 1.4nC | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 100mS | ||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 0.31A | 230mA | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 长度 | - | 2.9mm | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | - | ||
| 下降时间 | - | 8.2ns | ||
| 高度 | - | 1.10mm | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 370mW(Ta) | 360mW | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 6.7ns | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 系列 | - | BSS138 | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 22pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.87nC @ 10V | - | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 2.3ns | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 793 | 3,000 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
￥0.234
|
793 | 当前型号 | ||||||||
|
DMN65D8LV-13 | Diodes Incorporated | 通用MOSFET |
￥0.284
|
9,849 | 对比 | ||||||||||
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BSS138N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 230mA 3.5Ω@230mA,10V ±20V 360mW N-Channel -55°C~150°C SOT-23 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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DMN65D8LQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 370mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 310mA(Ta) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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